M31与台积电发布N6e平台超低功耗存储器编译器加速AIoT创新

*供应商円星科技(M31#8194;Technology#8194;Corporation，下称#8194;M31)今日于台积公司北美开放创新平台#174;(OIP)生态系论坛宣布，延续先前在台积电N12e#8482;制程上成功验证的低功耗IP解决方案，M31进一步扩展至N6e#8482;平台，推出全新超低漏电(ULL)、极低漏电(ELL)以及低电压操作(Low-VDD)存储器编译器。同时，M31再度荣获2025年台积公司OIP年度合作伙伴特殊制程IP奖，这是M31连续第八年获得此殊荣，充分展现其在台积电OIP生态系中的卓越贡献与紧密合作关系，再次印证M31在硅智财创新领域的领导地位。

#8195;#8195;M31获颁“台积电#8194;2025#8194;OIP矽智财伙伴奖”#8194;--M31总经理-张原熏

#8195;#8195;基于台积公司N6e先进制程开发的这系列存储器编译器，专为AI边缘运算与物联网装置打造，进行极致低功耗优化设计，并提供采用LL、ULL与ELL#8194;SRAM#8194;bit#8194;cells的定制化解决方案，协助智慧家庭、穿戴式装置等应用在性能与功耗之间取得*佳平衡。其中，N6e制程ULL存储器编译器具备高密度、高性能的SRAM与One#8194;Port#8194;Register#8194;File，并支持冗余(Redundancy)、电源闸控(Power#8194;Gating)、扫描测试(Scan)、内建自我测试(BIST)MUX以及宽频范围Dual-rail，能够实现动态电压与频率调整(DVFS)，并采用High#8194;Sigma设计方法，确保在严苛边界条件下依然稳健运行。ELL存储器编译器则进一步提升功耗效率，在深度睡眠模式(Deep#8194;Sleep#8194;Mode)下可降低高达50%功耗，满足对能效与芯片面积要求严苛的设计需求，同时兼顾速度与灵活性。此外，低电压(Low-VDD)存储器编译器可在仅0.5V的操作电压下运行，大幅降低动态与漏电功耗。通过ULL、ELL与Low-VDD三大产品组合，M31为N6e#8482;平台提供完整且高度灵活的设计支持。

#8195;#8195;M31总经理张原熏表示:“M31与台积公司长期以来的合作关系，是我们持续创新的重要基石。从N12e低功耗解决方案到*新的N6e#8194;ULL、ELL及Low-VDD存储器编译器，我们不断推出*业界的IP，协助AIoT与边缘应用加速芯片设计的成功落地。展望未来，我们期待与台积公司及OIP生态系伙伴深化合作，共同推动AI驱动技术的持续发展。”

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